Hafıza kartı alanında dünyanın önemli isimlerinden SanDisk, 19 nanometre (nm) teknolojisini kullanarak ürettiği 64- gigabit (Gb), 2-bits-per-cell (X2) bazlı dünyanın en gelişmiş hafıza süreç teknolojisini 2011 yılının ikinci yarısından sonra üretmeye başlıyor. Geliştirilen bu hafıza süreç teknolojisi sayesinde SanDisk, mobil telefonlarda, tablet bilgisayarlarda ve diğer cihazlarda kullanılan gömülü veya sökülebilir yüksek kapasiteli depolama cihazları üretebilecek.
2011 yılının ilk çeyreğinde test üretimini tamamlayan 19nm 64gb X2’yi, yılın ikinci yarısında üretmeye başlayacak olan SanDisk, aynı dönemde 3-bits-per-cell (X3) ürünlerini de, 19nm süreç teknolojisi ile birlikte ürün gamına ekleyecek.
19 nm’lik bellek, üstün yöntemli yenilik ve hücre tasarımı çözümleri dahil olmak üzere en gelişmiş hafıza flaş teknolojisini kullanıyor. Bu sayede SanDisk, All-Bit-Line’ı (ABL) performans güvenilirliğini feda etmeden tescilli algoritma programlama ve çok seviyeli veri depolama yöntemiyle çok seviyeli hücre (MLC) NAND flaş bellek çipi üretimine yardımcı olacak.
(Teknolog)
