SanDisk tarafından geliştirilerek üretilmeye başlanan 128 gigabit (Gb) NAND flaş bellek çipi, hücre başına üç bit teknolojisini geliştiriyor. NAND taşınabilir belleğin akıllı telefon, tablet ve SSD gibi ileri teknoloji cihazlarda kullanımı küçük cihazların işlevselliklerini geliştirmelerine katkıda bulunuyor.
SanDisk, 128GB NAND flaş bellek çipini geliştirdiğini ve üretimine başladığını duyurdu. Yarı iletken cihaz, 128 milyar bitlik bilgiyi, bir bozuk paranın kapladığından daha küçük bir alan olan 170 mm2’lik tek bir silikon kalıpta saklayabiliyor.
NAND flaş belleğin akıllı telefon, tablet ve SSD gibi ileri teknoloji cihazlarda kullanımı, tüketiciler tarafından oldukça önemsenen ‘küçük form’ faktörlü cihazların işlevselliklerini geliştirmelerine katkıda bulunuyor. Söz konusu bellek boyutlarının küçülmesi sayesinde, hem daha güçlü programlama yapılması hem de iletişim ve tüketici elektroniği cihazlarının daha düşük maliyetlerle kurulumları mümkün oluyor.
SanDisk, 128Gb NAND flaş bellek çipini, 19 nanometrelik (nm) -1 nanometre 1 metrenin milyarda biridir- süreç teknolojisinden yararlanarak geliştiriyor. 19 nm’lik hat devresi o kadar ince ki, yaklaşık 3,000 tanesi bir insan saçı genişliğine eşit oluyor. Bu çip aynı zamanda, SanDisk’in her bellek hücresine okuma ve üç bitlik bilgi yazma yeteneğini sağlayan NAND flaş bellek ürünlerinin kurulumunda kullanılan, hücre başına üç-bitlik (X3) teknolojiyi desteklemek için kullanılıyor.
128GB yarı iletken cihaz, küçültülmüş boyutuna ek olarak, 18MB/sn’lik, sektör lideri X3 yazma performansına sahip. Bu seviyedeki bir performans, SanDisk’in patentlenmiş “All-Bit-Line” (ABL) mimarisini kullanarak elde ediliyor ve X3 teknolojisinin, MLC NAND flaş bellek kullanan belli ürün kategorilerinde de kullanılabileceğini gösteriyor.
